英特爾搶先用新EUV 台積電考量成本效益策略大不同

台積電、英特爾與三星競逐製程技術，持續受到各界矚目。相較於英特爾將於2026年量產18A時導入高數值孔徑極紫外光技術，台積電2028年量產A14製程仍不會採用，兩大廠策略大不同，主要是台積電基於成本效益考量。

英特爾（Intel）前執行長季辛格（Pat Gelsinger）先前認為，反對使用艾司摩爾（ASML）的極紫外光（EUV）設備是錯誤決策，拖累英特爾晶圓代工事業欠缺能力。使得外界高度關注英特爾與台積電導入高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）設備進展，並視為雙方競逐製程技術的指標。

台積電在去年技術論壇釋出A16製程不會採用High-NA EUV設備的消息，當時全球業務資深副總經理暨副共同營運長張曉強說，他喜歡High-NA EUV設備的性能，但不喜歡它的價格，成本非常高。

英特爾則傳出已全數包下ASML當年預計製造的5台High-NA EUV設備，與台積電策略大相逕庭，引發各界矚目。

台積電在日前的技術論壇進一步釋出A14製程也不會採用High-NA EUV設備；反觀英特爾預計2026年量產18A時就將導入High-NA EUV技術，再度引發熱議。

張曉強說明，台積電在每代製程技術都試圖將光罩增加數量控制在最低，這對成本效益至關重要。A14製程不採用High-NA EUV設備關鍵就在於成本效益；若使用High-NA EUV技術，製程成本可能比傳統EUV高出多達2.5倍。

據半導體業者表示，台積電與三星（Samsung）在改採環繞閘極（GAA）架構的策略也大不同。台積電決定今年下半年量產的2奈米製程才改採GAA架構，三星則搶先在3奈米製程改採GAA架構。

業者指出，外界原先預期三星在GAA架構發展將挾經驗優勢，可望在2奈米製程超前台積電，結果台積電3奈米製程穩定度高，充分掌握近幾年AI龐大商機，2奈米也進展順利，將如期於今年下半年量產，並持續居領先地位。因此單以英特爾搶先使用High-NA EUV技術，仍難以論定英特爾就能搶回領導地位。