產創條例修法 台積赴美適用新法國安條款

立法院已三讀通過「產業創新條例修正案」，為避免關鍵技術外流，新規定投資於特定國家或地區、特定產業或技術或達「一定金額」以上須事前申請，經濟部將配合修正子法，據了解，一定金額擬由目前十五億元提高至卅億元，朝寬鬆方向鬆綁；全案仍待協商。

此外，針對台積電宣布擴大赴美投資一千億美元，外界擔憂是否技術外流，行政院長卓榮泰表示將適用「N-1」。依目前規定，一般對外投資，半導體並無明文要「N-1」，但三讀通過產創條例第廿二條，已明訂若「影響國家安全」、或「對國家經濟發展不利影響」，可不予核准對外投資。官員表示，可藉由此條文做為台積電赴美審查依據，落實「N-1」。也就是說，將藉由第廿二條要求台積電赴美投資落實「N-1」。

官員表示，根據新法，未來海外投資達「一定金額」以上、或是投資特定國家及地區、特定產業或技術，上述任何一項都要先申請，經過審查後才能放行。產創條例廿二條子法「公司國外投資處理辦法」，目前僅規定公司從事國外投資之金額逾台幣十五億元者，應於事前申請。未來，子法將修正一定金額以上，並增訂特定國家及地區、特定產業及技術等。

據了解，經濟部初步構想是提高至台幣卅億元。據分析，當初明定十五億元審查門檻，是依據央行規定法人每年結匯上限五千萬美元而訂定，而今央行已經提高至一億美元，經濟部擬參考央行結匯規定，修正「一定金額」以上為台幣卅億元，這對產業界來說將更寬鬆。

至於特定國家及地區，經濟部規畫是指遭聯合國制裁的國家或地區，例如參照戰略性高科技貨品輸出管制地區，主要是國際間管制戰略性高科技貨品出口國家，包括伊朗、伊拉克、北韓、蘇丹、敘利亞、雙俄等。

針對特定產業和技術條件，經濟部初步想法，擬以國科會公布的國家核心關鍵技術為參考標準，截至目前，國科會公告過兩波共卅二項國家核心關鍵技術，包括十四奈米以下製程的IC製造技術及其關鍵氣體、化學品及設備、以及「毫米波氮化鎵（GaN）功率放大器單晶微波積體電路之晶片設計技術」、「高頻功率放大器之氮化鎵半導體製造技術」等。