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大摩:NAND脫離底部 大幅調高華邦電及群聯目標價

圖為美光生產的232層的NAND Flash。圖/美光提供
圖為美光生產的232層的NAND Flash。圖/美光提供

摩根士丹利證券(大摩)發布報告指出,對儲存型快閃記憶體(NAND Flash)模組轉趨樂觀,主要是出現復甦跡象,但利基型動態隨機存取記憶體(DRAM)仍存隱憂。在台股中,大摩對華邦電(2344)及群聯(8299)評等都提高到「優於大盤」,對力積電(6770)維持中立,對南亞科(2408)維持「劣於大盤」。

在大摩看好的大中華記憶體族群中,華邦電是最看好的台股,評等從「劣於大盤」連升二級到「優於大盤」,目標價更從12元增加一倍多到25元,主要是基於兩大利多。首先,華邦電的編碼型快閃記憶體(NOR Flash)、DRAM及邏輯產品都受惠於景氣周期觸底反彈。

其次,華邦電進軍邊緣人工智慧(AI),開發新技術客製化超高頻寬元件(CUBE),相關產品明年起對營收可望產生明顯貢獻。大摩仍擔心長鑫存儲的產能擴張,但非中國大陸供應商的利基 DRAM 庫存去化即將結束。

大摩將群聯評等從中立調高到「優於大盤」,目標價大幅提高32%到688元,主要基於NAND模組受惠於供給有紀律,加上固態硬碟(SSD)需求強勁,預期今年將表現強勁。

大摩指出,NAND模組的底部已過,由於供給有紀律,預期價格可望在今年第2季開始穩定。群聯也看到2月出貨開始增加,3月可望受惠於漲價效應。群聯管理階層指出今年全年需求強勁,甚至還擔心,如果去年第4季減產影響今年第2季的供應,則下半年將無法獲得足夠的 NAND。

力積電毛利率面臨壓力,大摩維持中立評等及目標價16.5元。南亞科虧損擴大,今年仍充滿挑戰,大摩維持「劣於大盤」,目標價為25元。南亞科今年股價大漲逾三成,同期間DDR4 16Gb 現貨價格同期只漲3.5%。大摩認為,股市對現貨價的小漲反應過度,畢竟對南亞科及力積電等利基型DRAM廠來說,合約價才是重點。

南亞科 大摩 快閃記憶體

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