傳三星、SK海力士需長江存儲專利授權 學者：牽連台廠 供應鏈恐洗牌

南韓媒體披露，繼三星電子之後，SK海力士的下一代NAND快閃記憶體晶片的核心專利，需要依賴大陸授權，因此預計SK海力士也將與長江存儲（YMTC）簽署專利協議。

中華經濟研究院第二研究所暨日本中心副主任江泰槿25日表示，三星電子、SK海力士要與大陸記憶體晶片龍頭長江存儲簽署專利協議，主要可能涉及AI晶片或邊緣計算，韓媒此次披露，很有可能會引起美國注意並間接導致美國總統川普對記憶體類發起制裁，並加強對長江存儲技術限制；而台廠由於跟SK海力士買記憶體晶片，後續可能要注意是否會觸及美國禁令，導致供應鏈洗牌。

ZDNet Korea報導，三星電子日前與長江存儲簽署3D NAND混合鍵合專利授權合約。因為評估認為，下一代NAND業務的不確定性增加，從V10（第10代） NAND開始，已經無法再避免長江存儲專利的影響。

除了三星，ZDNet Korea還提到，南韓另一大存儲晶片巨頭SK海力士的下一代NAND快閃記憶體晶片的核心專利，也需要依賴大陸，預計SK海力士也將與長江存儲簽署專利協議。

由於目前三星、SK海力士幾乎壟斷了全球的NAND市場，外界不免好奇，在下一代NAND快閃記憶體晶片領域，三星、SK海力士為何必須依賴長江存儲。

隨著NAND快閃記憶體層數向400層以上演進，傳統晶片封裝技術面臨物理極限挑戰。三星原本計畫於2024年下半年量產的第10代V10 NAND將採用W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵結技術，透過直接堆疊2片矽晶圓，省去傳統凸點連接 （Bump），顯著縮短訊號傳輸路徑並提升散熱效率。

相較先前的COP（Cell-on-Peripheral）架構，混合鍵結可將儲存單元與控制電路分置於獨立晶圓，大幅降低超高層堆疊對底層電路的壓力，進而保障產品可靠性。

江泰槿指出，目前依已揭露資訊顯示，混合鍵結技術是由長江存儲向美國專利授權公司Xperi，簽署協議後獲得原始專利；2020年推出「Xtacking」架構，於此基礎建立許多衍生技術專利，目前已成為突破3D NAND技術壁壘的核心。該技術透過分層設計實現了更高的整合密度與良率，而三星此次選擇直接授權，而非自主研發或規避專利，凸顯了對技術可行性的務實考量。